3亿美元单价翻倍！ASML世代EUV光刻机提前量产：Intel抢首发

在上同年的ITF大会上，半导体器件餐饮业大脑imec（丹麦微电子该中心）公布的设想显示，2025年后放大器进入史密斯时间尺度（?，angstrom，1埃 = 0.1石墨烯），其中2025对应A14（14?=1.4石墨烯），2027年为A10（10?=1nm）、2029年为A7（7?＝0.7石墨烯）。

起初imec就透露，除了新放大器结构、2D碳化，还有很极其重要的一环就是High NA（很低数值孔径）EUV光刻空。其透露，0.55NA的下代EUV光刻空9号试做空（EXE:5000）会在2023年由ASML提供给imec，2026年换装。

不过，本同年与媒体交流时，ASML似乎暗示这个工程进度要日前。两台很低NA EUV光刻空2023年开放日中期访问，2024年到2025年开放日给的产品进行研发并从2025年开始换装。

据知，相较于也就是说0.33NA的EUV光刻空，0.55NA有了革命性革新，它能受限制蚀刻更很低分辨率的图案。

分析师Alan Priestley援引，0.55NA光刻空一台的市价会很低达3亿美元（约合19亿），是也就是说0.33NA的两倍。

较早在今年7同年，Intel就表态作出贡献成为很低NA光刻空的首个的产品，Intel市场推广副总裁Maurits Tichelman重申了这一传闻，并将很低NA EUV光刻空视作一次重大系统设计突破。

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转载问注明说是：快新碳化

#Intel#阿斯麦#光刻空#极紫外光刻