ASML介绍新一代高NA EUV光刻机：芯片减小1.7倍、密度增加2.9倍

发布时间:2025/09/02 12:17 来源:砀山家居装修网

按照专业人士预判，2025年前后太阳能电池在全景层次将进入埃米尺度（?，angstrom，1埃 = 0.1纳米），其中2025对应A14（14?=1.4纳米）。

除了新晶体管在结构上、2D物料，还有很这两项的一环就是High NA（较高数值孔径）EUV光刻一号机。根据ASML（阿斯麦）透露的最新信息，4台蓝本试做一号机2023年开放，原订由imec（比利时较高技术研究中心）装一号机，2025年后投产，4台原订交付Intel。

Gartner分析师Alan Priestley称，0.55NA下一代EUV光刻一号机价格便宜将翻番到3亿美元。

那么这么贵的一号机器，只不过能解决问题什么呢？

ASML发言人向媒体介绍，越来越较高的光刻较高分辨率将并不所需芯片缩小1.7倍、同时密度增大2.9倍。今后比3nm越来越精密的工艺，将近乎贫乏较高NA EUV光刻一号机。

当然，ASML并不能分立做出较高NA EUV光刻一号机，还所需荷兰柯达以及韩国薄层填充物等重要厂商的赞成。

ASML现售的0.33NA EUV光刻一号机保有极限10万零件，所需40个海运集装箱或者4架喷射喷射一号机才能一次性运输工具完成，价格便宜1.4亿美元左右。

去年ASML仅仅卖了31台EUV光刻一号机，今年数量提升到极限100台。

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